方塊電阻測(cè)試儀-

更新時(shí)間：2024-05-07

產(chǎn)品型號(hào)：XRS-KDB-2B

廠家性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問次數(shù)：381

簡(jiǎn)要描述：

本設(shè)備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻，HAD-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制，運(yùn)用了先進(jìn)的半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù)，無(wú)需特別制
樣，可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。
技術(shù)指標(biāo)：方塊電阻測(cè)量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。
測(cè)量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32m

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詳細(xì)介紹

本設(shè)備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻，XRS-KDB-2B 測(cè)試儀嚴(yán)格參照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

SEMI MF 374-0307 對(duì)設(shè)備的要求研制，運(yùn)用了先進(jìn)的半導(dǎo)體薄層測(cè)量技術(shù)，無(wú)需特別制

樣，可測(cè)不規(guī)則的金屬薄膜。

技術(shù)指標(biāo)：方塊電阻測(cè)量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。

測(cè)量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。

最小分辨率：0.00001Ω/□。

試樣尺寸：直徑大于 32mm。

試樣厚度：t≤5μm（約）。

探針間距：1.59mm。

成套設(shè)備包含：

XRS-KDB-2B 主機(jī) 一臺(tái)

XRS-KDJ-1A 手動(dòng)測(cè)試架一臺(tái)

XRS-KDT-5 紅寶石四探針頭一個(gè)

電源線一根

四探針頭連接線一根

選購(gòu)件：

微控制器及配套測(cè)試系統(tǒng) 一套

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